真空卡盤是半導(dǎo)體制造及加工領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的晶圓固定裝置，其通過(guò)真空吸附原理實(shí)現(xiàn)晶圓的穩(wěn)定固定。

　　一、真空卡盤的核心特點(diǎn)

　　非接觸式固定，避免物理?yè)p傷

　　真空卡盤通過(guò)表面微孔形成均勻的真空負(fù)壓，將晶圓吸附在卡盤表面，無(wú)需機(jī)械夾爪或邊緣接觸，消除劃傷、污染或邊緣破損風(fēng)險(xiǎn)，尤其適合超薄晶圓或易碎材料（如玻璃、化合物半導(dǎo)體）的加工。

　　吸附力均勻，穩(wěn)定性高

　　卡盤表面分布數(shù)百至數(shù)千個(gè)微孔，通過(guò)真空泵抽氣形成負(fù)壓，吸附力分布均勻，可有效晶圓在高速旋轉(zhuǎn)（如化學(xué)機(jī)械拋光CMP）或振動(dòng)環(huán)境（如探針測(cè)試）中的位移，確保加工精度。

　　結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本可控

　　相比靜電卡盤或伯努利卡盤（需高壓氣流系統(tǒng)），真空卡盤結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn)單，主要由卡盤本體、真空通道和密封圈組成，制造成本較低，維護(hù)方便。

　　兼容性強(qiáng)，適用范圍廣

　　可適配不同尺寸（如2英寸至12英寸）和材質(zhì)（如硅、砷化鎵、藍(lán)寶石）的晶圓，且對(duì)表面平整度要求相對(duì)寬松，適用于多種加工場(chǎng)景。

　　溫度控制靈活

　　部分真空卡盤集成溫控模塊（如加熱/冷卻通道），通過(guò)循環(huán)介質(zhì)（如水或油）實(shí)現(xiàn)晶圓溫度調(diào)節(jié)，支持三溫測(cè)試（低溫、常溫、高溫）等復(fù)雜工藝需求。

　　二、真空卡盤的典型應(yīng)用場(chǎng)景

　　半導(dǎo)體制造前道工藝

　　光刻工藝：在曝光前固定晶圓，確保光刻膠涂布均勻性，避免因晶圓移動(dòng)導(dǎo)致圖形失真。

　　刻蝕工藝：在等離子體刻蝕或濕法刻蝕中固定晶圓，防止高能粒子或化學(xué)溶液沖擊導(dǎo)致晶圓偏移。

　　薄膜沉積：在物理氣相沉積（PVD）或化學(xué)氣相沉積（CVD）過(guò)程中，為晶圓提供穩(wěn)定支撐，確保薄膜厚度均勻性。

　　半導(dǎo)體測(cè)試環(huán)節(jié)

　　探針臺(tái)測(cè)試：在晶圓測(cè)試（Wafer Probing）中，真空卡盤固定晶圓并配合載物臺(tái)實(shí)現(xiàn)多測(cè)試點(diǎn)定位，支持參數(shù)測(cè)試、故障分析（FA）等場(chǎng)景。

　　三溫測(cè)試：集成溫控功能的真空卡盤可模擬芯片在實(shí)際工作中的溫度條件（-60℃至+300℃），評(píng)估其可靠性與穩(wěn)定性。

　　優(yōu)良封裝與微組裝

　　晶圓級(jí)封裝（WLP）：在倒裝芯片（Flip Chip）或扇出型封裝（Fan-Out）中，真空卡盤固定晶圓以實(shí)現(xiàn)高精度鍵合或再布線層（RDL）加工。

　　微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造：固定微小結(jié)構(gòu)（如傳感器、執(zhí)行器）晶圓，避免加工過(guò)程中因振動(dòng)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)損壞。

　　其他加工領(lǐng)域

　　光學(xué)元件加工：固定玻璃、晶體等光學(xué)材料，支持高精度拋光或鍍膜工藝。

　　平板顯示制造：在液晶面板（LCD）或有OLED生產(chǎn)中，固定玻璃基板以實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管（TFT）陣列加工。

冠亞恒溫的Chuck憑借其技術(shù)深度與行業(yè)適配性，已成為半導(dǎo)體制造、航空航天、生物醫(yī)藥等領(lǐng)域溫控環(huán)節(jié)的控溫裝備，為制造行業(yè)發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)支撐。